Back wall schottky barrier solar cell with an interfacial layer

The role of an interfacial layer is discussed in the case of a back-wall Schottky barrier solar cell. Computations are made for both, Si and GaAs cells to study the dependence of Voc and η of the cells with the parameters of the interfacial layer. It is concluded that η ≈ 15 and 7% may be realised for the GaAs and Si cells with φB ≈ 0.8 and 0.7 V, respectively, in presence of a suitable interfacial layer. Es wird der Einflus einer inneren Grenzschicht im Falle einer Schottky-Barrieren-Ruckwand-Solarzelle diskutiert. Rechnungen werden sowohl fur Si- als auch GaAs-Zellen durchgefuhrt, um die Abhangigkeit von Voc und η der Zellen von den Parameter der Grenzschicht zu untersuchen. Es wird geschlossen, das η ≈ 15 und 7% fur die GaAs- und Si-Zellen mit φB ≈ 0,8 bzw. 0,7 V bei Anwesenheit einer geeigneten Grenzschicht realisiert werden kann.