Temperature dependence of direct transitions in angle-resolved photoemission and its application to InSb.

Des mesures entre 30 et 500 K permettent de deduire les coefficients de temperature de la largeur de raie et de la separation d'energie des transitions directes de surface et de volumes dans InSb. Comparaisons avec des predictions theoriques fondees sur la renormalisation des energies des bandes via l'interaction electron-phonon