THERMAL OXIDATION KINETICS OF SILICON IN PYROGENIC WATER AND 5* HYDROGEN CHLORIDE WATER MIXTURES

Die Kinetik der Oxidation von (l11)- und (l00)-orientiertem n-leitenden Si (1-1015 cm ′3) in pyrogen erzeugtem H2O mit und ohne Zusatz von 5 Vol-% HCl wird im Temperaturbereich 900-1100°C untersucht.