Reordering of reconstructed Si surfaces upon Ge deposition at room temperature

Etude du comportement des surfaces Si (111)-(7×7) et Si (100)-(2×1) au cours du depot a temperature ambiante de Ge, par spectrometrie Auger, diffraction d'electrons lents et retrodiffusion Rutherford. Le depot de Ge forme une interface fortement desordonnee mais sans formation d'ilot