Multi level cell NAND Flash Memory의 cell to cell 간섭 상쇄 알고리듬

MLC NAND Flash Memory에서 Data error를 발생시키는 CCI 현상을 분석하고, 이를 상쇄하여 에러 율을 감소시키기 위한 알고리듬을 제안하였다. Data분석을 통하여 Victim cell주변 8 Cell중에서 CCI영향을 가장 많이 주는 주변 3 Cell을 확인하였다. 이러한 3 Cell model에서 각각의 Data pattern에 따라 발생하는 CCI 현상을 분석하여 알고리듬을 제안하였다. MLC NAND Flash Memory cell로부터 측정된 Vth 분포 데이터에 MatLab을 이용하여 제안된 알고리듬을 적용하는 경우 BER이 LSB에서는 7.5%, MSB에는 11.1%가 개선되었다.