文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
Performance degradation of GaN field-effect transistors due to thermal boundary resistance at GaN/substrate interface
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
Valentin O. Turin
|
A. Balandin
保存到论文桶