Otrzymywanie warstw SiCN metodą RF sputteringu

Weglik i azotek krzemu są obiecującymi materialami, ktore dzieki swym wlaściwościom mogą byc wykorzystane do uzyskiwania roznego rodzaju przyrządow elektronicznych. Oba są wysoko temperaturowymi polprzewodnikami uzywanymi jako izolatory i stosowanymi jako bariery dyfuzji w urządzeniach mikroelektronicznych. SiCN znajduje liczne praktyczne zastosowania w ogniwach slonecznych, plaskich monitorach telewizyjnych, pamieciach optycznych, jako warstwy antyrefleksyjne. Kontrola parametrow procesu sputteringu pozwala na uzyskiwanie warstw o roznych wlaściwościach fizycznych i chemicznych np. o roznej przerwie energetycznej, od 2,86 V dla SiC do 5 eV dla Si3N4 [1]. W artykule opisane zostaly wlaściwości warstw SiCN otrzymane metodą reaktywnego sputteringu z targetu weglika krzemu oraz w atmosferze argonowo azotowej. SiCN osadzany byl na podlozach Si(111) oraz na podlozach krzemowych z warstwą AlN. Sklad, struktura, powierzchnia uzyskiwanych warstw byla określana za pomocą metod diagnostycznych takich jak: dyfrakcja rentgenowska (XRD), spektroskopia masowa jonow wtornych (SIMS), mikroskopia sil atomowych (AFM). Badano wplyw parametrow sputteringu na jakośc warstw analizując widma transmisji i z zakresu podczerwieni i światla widzialnego. (FTIR spektroskopia optyczna w zakresie podczerwieni).