Laminant distribution of hydrogenated bonds in amorphoussilicon deposited by RF sputtering

Substitution des liaisons flottantes dans a-Si par des liaisons Si-H dont la concentration augmente de l'interface avec le substrat a la surface libre. La densite des etats localises est reduite ce qui provoque une augmentation de la photoconductivite et une diminution de la duree de vie des porteurs. Un refroidissement complementaire du substrat permet d'obtenir une repartition uniforme des liaisons hydrogenees