Bank active/precharge command decoder in semiconductor device

본 발명은 반도체 메모리 설계 기술에 관한 것으로, 특히 반도체 메모리 소자의 뱅크 액티브/프리차지 커맨드 디코더에 관한 것이다. 본 발명은 초기화 과정에서의 오동작을 방지하면서 과전류의 생성을 방지할 수 있는 반도체 메모리 소자의 뱅크 액티브/프리차지 커맨드 디코더를 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 반도체 메모리 소자의 뱅크 액티브/프리차지 커맨드 디코더를 구현함에 있어서, 파워업 신호와 내부 프리차지 커맨드 신호를 논리조합하는 방식으로 초기화를 수행함으로써 반도체 메모리 소자의 불필요한 오동작을 방지함은 물론, 초기화 과정에서 과전류가 발생하는 것을 방지할 수 있다. 뱅크 액티브/프리차지, 커맨드 디코더, 파워업, 오동작, 과전류