About the fluorine chemistry in MCVD: The mechanism of fluorine incorporation into SiO2 layers

Fluorine incorporation during the deposition of silica layers is studied under MCVD conditions using C2F3Cl3 as fluorine source. The experimental results are compared with known models of the incorporation mechanism. It is found that a gas/solid equilibrium during the consolidation step determines the final fluorine content of the layers. Der Fluoreinbau wahrend der Abscheidung von Quarzglasschichten wird unter MCVD-Bedingungen studiert, wobei C2F3Cl3 als Fluorquelle Verwendung findet. Die experimentellen Ergebnisse werden mit bekannten Modellen zum Einbaumechanismus verglichen. Es zeigt sich, das ein Gas-Festkorper-Gleichgewicht wahrend der Konsolidierungsphase den endgultigen Fluorgehalt der Schichten bestimmt.