Molecular-beam study of sticking of oxygen on Si(100).

La probabilite d'adhesion initiale S 0 est mesuree par spectroscopie d'electrons Auger en fonction de la temperature de surface T s pour differentes energies incidentes E i . Pour E i =0,09 eV, ou le processus de piegeage-desorption domine, S 0 decroit avec l'augmentation de T s . Ceci indique que l'adhesion est principalement un processus relaye par une physisorption