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Continuous-wave and pulsed EPR study of the negatively charged silicon vacancy with S Ä 32 and C 3 v symmetry in n-type 4 H-SiC
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T. Ohshima
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S. Yamasaki
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J. Isoya
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H. Takizawa
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N. Mizuochi
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N. Morishita
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H. Itoh
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