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345-MW/cm² 2608-V NO₂ p-Type Doped Diamond MOSFETs With an Al₂O₃ Passivation Overlayer on Heteroepitaxial Diamond
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M. Kasu
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N. Saha
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T. Oishi
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Seong-Woo Kim
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K. Koyama
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Yuki Kawamata
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