Structural and electrical properties of the GexSi1−x/Si heterojunctions obtained by the method of direct bonding
暂无分享,去创建一个
L. S. Kostina | N. M. Shmidt | N. Abrosimov | I. Grekhov | J. Je | J. Je | N. Abrosimov | T. Argunova | J. W. Jung | J. M. Yi | L. Sorokin | A. Zabrodskii | E. Belyakova | N. Shmidt | J. Yi | J. W. Jung