Etude experimentale du mouvement du positron en presence d'un champ electrique, par mesure de la longueur de derive des positrons dans la region de charge d'espace d'une diode a barriere de surface, Au-Si. Un champ electrique de l'ordre de 104 V/cm donne lieu a une longueur de derive de 2 a 3 μm. L'approximation de la diffusion de la derive peut expliquer le transport positronique jusqu'a une intensite du champ electrique de 3×10 4 V/cm. Determination de la mobilite positronique a 300 K pour Si ([P]=7.4×10 14 cm −3 ) obtenu par tirage Czochralski, et du coefficient de diffusion calcule a partir de la relation d'Einstein. La diffusion du positron est egalement mesuree sans preparation d'un contact metal-semiconducteur dans Si (104 Ω.cm) de haute purete obtenu par la methode de la zone flottante en considerant que le champ electrique peut etre neglige. Le coefficient de diffusion obtenu est en bon accord avec celui base sur la mobilite du positron mesure en presence d'un champ electrique