文
论文分享
演练场
杂货铺
论文推荐
字
编辑器下载
登录
注册
A model for Si, SiCH, SiO2, SiOCH, and porous SiOCH etch rate calculation in inductively coupled fluorocarbon plasma with a pulsed bias: Importance of the fluorocarbon layer
复制论文ID
分享
摘要
作者
参考文献
暂无分享,去
创建一个
C. Cardinaud
|
G. Cartry
|
V. Raballand
保存到论文桶